دیتاشیت MMBT5551-B

MMBT5551-B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT5551-B
حجم فایل 45.418 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت MMBT5551-B

MMBT5551-B Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Foshan Blue Rocket Elec MMBT5551-B
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 110MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 90mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Foshan Blue Rocket Elec

دیتاشیت محصولات مشابه